​分子束外延原理及特點

原理

分子束外延的英文縮寫為MBE，這zhe是shi一yi種zhong在zai晶jing體ti基ji片pian上shang生sheng長chang高gao質zhi量liang的de晶jing體ti薄bo膜mo的de新xin技ji術shu。在zai超chao高gao真zhen空kong條tiao件jian下xia
，由you裝zhuang有you各ge種zhong所suo需xu組zu分fen的de爐lu子zi加jia熱re而er產chan生sheng的de蒸zheng氣qi，經jing小xiao孔kong準zhun直zhi後hou形xing成cheng的de分fen子zi束shu或huo原yuan子zi束shu，直zhi接jie噴pen射she到dao適shi當dang溫wen度du的de單dan晶jing基ji片pian上shang，同tong時shi控kong製zhi分fen子zi束shu對dui襯chen底di掃sao描miao，就jiu可ke使shi分fen子zi或huo原yuan子zi按an晶jing體ti排pai列lie一yi層ceng層ceng地di“長”在基片上形成薄膜。

特點

（1）生長速率極慢，大約1um/小時，相當於每秒生長一個單原子層
，因此有利於實現控製厚度、結構與成分和形成陡峭的異質結構等。實際上是一種原子級的加工技術，因此MBE特別適於生長超晶格材料。

（2）外延生長的溫度低
，因此降低了界麵上熱膨脹引入的晶格失配效應和襯底雜質對外延層的自摻雜擴散影響。

（3）youyushengchangshizaichaogaozhenkongzhongjinxingde
，chendibiaomianjingguochulikechengweiwanquanqingjiede
，zaiwaiyanguochengzhongkebimianzhanwu

，yinernengshengchangchuzhiliangjihaodewaiyanceng。zaifenzishuwaiyanzhuangzhizhong，yibanhaifuyouyongyijiancebiaomianjiegou、成分和真空殘餘氣體的儀器，可以隨時監控外延層的成分和結構的完整性，有利於科學研究.

（4）MBE是一個動力學過程，即將入射的中性粒子（原子或分子）一個一個地堆積在襯底上進行生長
，而不是一個熱力學過程
，所以它可以生長按照普通熱平衡生長方法難以生長的薄膜。

（5）MBEshiyigechaogaozhenkongdewulichenjiguocheng，jibuxuyaokaolvzhongjianhuaxuefanying
，youbushouzhiliangchuanshudeyingxiang，bingqieliyongkuaimenkeyiduishengchanghezhongduanjinxingshunshikongzhi。yinci
，modezufenhechanzanongdukesuiyuandebianhuaerxunsutiaozheng。

應用

分fen子zi束shu外wai延yan不bu僅jin可ke用yong來lai製zhi備bei現xian有you的de大da部bu分fen器qi件jian

，而er且qie也ye可ke以yi製zhi備bei許xu多duo新xin器qi件jian，包bao括kuo其qi它ta方fang法fa難nan以yi實shi現xian的de，如ru借jie助zhu原yuan子zi尺chi度du膜mo厚hou控kong製zhi而er製zhi備bei的de超chao晶jing格ge結jie構gou高gao電dian子zi遷qian移yi率lv晶jing體ti管guan和he多duo量liang子zi阱jing型xing激ji光guang二er極ji管guan等deng。我wo們men在zai公gong車che上shang看kan到dao的de車che站zhan預yu告gao板ban，在zai體ti育yu場chang看kan到dao的de超chao大da顯xian示shi屏ping，其qi發fa光guang元yuan件jian就jiu是shi由you分fen子zi束shu外wai延yan製zhi造zao的de。